Der modulierte Verstärker TBMDA5 bietet die notwendige Leistung, Bandbreite und Modulation für leitungsgebundene Immunitätstests mit CDNs im Frequenzbereich von 150 kHz bis 400 MHz. Es wurde entwickelt, um vom Tracking-Generator-Ausgang von Spektrumanalysatoren angetrieben zu werden.
Mit einem 1-dB-Kompressionspunkt von bis zu 2,5 W im Frequenzbereich 150 kHz bis 400 MHz kann es Testpegel Klasse 1 und Klasse 2 nach ISO / EN 61000-4-6 erzeugen. Ein eingebauter AM-Modulator ermöglicht die Verwendung von Mitlaufgeneratoren als Signalquelle.
Der TBMDA5 hat eine ausreichende Verstärkung, um eine maximale Ausgangsleistung mit 0 dBm zu erreichen, die von einem Spektrumanalysator-Tracking-Generator bereitgestellt wird.
Neben 1 kHz, 80 % AM bietet der TBMDA5 eine integrierte Modulationsfähigkeit, um 1 kHz, 50 % Einschaltdauer zu erzeugen Zyklus PM-Signale. Im PM-Modus kann der TBMDA5 auch ein 217-Hz-Signal mit 12,5 % Tastverhältnis erzeugen, um das TDMA-Rauschen von Mobiltelefonen zu simulieren.
Funktionen
- CW-Verstärker (Modulation aus)
- 1 kHz, 80 % AM-Modulation
- 1 kHz, 50 % Arbeitszyklus, Pulsmodulation 217 Hz
- 12,5 % Arbeitszyklus-Pulsmodulation
Spezifikationen
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Eingang / Ausgang: 50 Ω, N-Buchse
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Versorgungsspannungsbereich: 110 V bis 240 V
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Stromverbrauch: 19 W bei 220 V
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Betriebstemperaturbereich: -20 °C bis 50 °C
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Frequenzbereich: 150 kHz – 400 MHz, nutzbar von 100 kHz bis 1,2 GHz Kleinsignalverstärkung: 38 dB typ.
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Ebenheit der Verstärkung 150 kHz – 400 MHz / Pin = -5 dBm: 3,5 dB typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 32,6 dBm (1,8 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 36,1 dBm (4,1 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 37,8 dBm (6 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 36,4 dBm (4,4 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 400 MHz / Pin = 0 dBm: 33,7 dBm (2,3 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 750 MHz / Pin = 0 dBm: 33,2 dBm (2,1 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 1 GHz / Pin = 0 dBm: 34,8 dBm (3 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 1,1 GHz / Pin = 0 dBm: 31,1 dBm (1,3 W) typ.
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Gesättigte Ausgangsleistung @ 1,2 GHz / Pin = 0 dBm: 27,3 dBm (0,5 W) typ.
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1 dB Ausgangskompressionspunkt bei 150 kHz: +29,6 dBm typ. (Stift: -9 dBm)
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1 dB Ausgangskompressionspunkt bei 500 kHz: +32,9 dBm typ. (Stift: -6 dBm)
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1 dB Ausgangskompressionspunkt bei 1 MHz: +33,1 dBm typ. (Stift: -5 dBm)
Bewerbung:
- Allzweck-Breitband-HF-Leistungsverstärker
- Breitband-HF-Leistungsverstärker für leitungsgebundene Immunitätstests zum Ansteuern von CDNs oder BCI-Sonden
- Breitband-HF-Leistungsverstärker für gestrahlte Immunitätstests, Ansteuerung von Nahfeldsonden
- Breitband-HF-Leistungsverstärker für gestrahlte Immunitätstests, Ansteuerung von TEM-Zellen
The TBMDA5 modulated amplifier provides the necessary power, bandwidth and modulation for conducted immunity testing using CDNs in the frequency range from 150 kHz to 400 MHz. It is designed to be driven by the tracking generator output of spectrum analyzers.
With a 1 dB compression point of up to 2.5W in the frequency range 150 kHz to 400 MHz it can generate test levels class 1 and class 2 according to ISO / EN 61000-4-6. A built in AM- modulator enables use of tracking generators as signal source.
The TBMDA5 has sufficient gain to achieve maximum output power with 0 dBm provided by a spectrum analyzer tracking generator.
Besides 1 kHz, 80% AM, the TBMDA5 provides built in modulation capability to generate 1 kHz, 50% duty cycle PM signals. In PM mode, the TBMDA5 can also generate a 217 Hz Signal with 12.5% duty cycle in order to simulate mobile phone TDMA noise.
Features
- CW amplifier (modulation off)
- 1 kHz, 80% AM modulation
- 1 kHz, 50% duty cycle pulse modulation 217 Hz
- 12.5% duty cycle pulse modulation
Specifications
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Input / Output: 50 Ω, N female
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Supply Voltage range: 110 V…240 V
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Supply power consumption: 19 W @ 220V
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Operating temperature range: -20°C to 50°C
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Frequency range: 150 kHz – 400 MHz, usable from 100 kHz to 1.2 GHz Small signal gain: 38 dB typ.
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Gain flatness 150 kHz – 400 MHz / Pin = -5 dBm: 3.5 dB typ.
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Saturated output power @ 150 kHz / Pin = 0 dBm: 32.6 dBm (1.8 W) typ.
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Saturated output power @ 500 kHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
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Saturated output power @ 1 MHz / Pin = 0 dBm: 36.1 dBm (4.1 W) typ.
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Saturated output power @ 10 MHz / Pin = 0 dBm: 37.8 dBm (6 W) typ.
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Saturated output power @ 100 MHz / Pin = 0 dBm: 36.4 dBm (4.4 W) typ.
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Saturated output power @ 250 MHz / Pin = 0 dBm: 36 dBm (4 W) typ.
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Saturated output power @ 400 MHz / Pin = 0 dBm: 33.7 dBm (2.3 W) typ.
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Saturated output power @ 750 MHz / Pin = 0 dBm: 33.2 dBm (2.1 W) typ.
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Saturated output power @ 1 GHz / Pin = 0 dBm: 34.8 dBm (3 W) typ.
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Saturated output power @ 1.1 GHz / Pin = 0 dBm: 31.1 dBm (1.3 W) typ.
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Saturated output power @ 1.2 GHz / Pin = 0 dBm: 27.3 dBm (0.5 W) typ.
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1dB output compression point @ 150 kHz: +29.6 dBm typ. (Pin: -9 dBm)
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1dB output compression point @ 500 kHz: +32.9 dBm typ. (Pin: -6 dBm)
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1dB output compression point @ 1 MHz: +33.1 dBm typ. (Pin: -5 dBm)
Application:
- General-purpose wideband RF power amplifier
- Wideband RF power amplifier for conducted immunity testing driving CDNs or BCI-probes
- Wideband RF power amplifier for radiated immunity testing, driving near field probes
- Wideband RF power amplifier for radiated immunity testing, driving TEM Cells
